技术参数
品牌： INFINEON
型号： IRF1405PBF
批号： 19+
封装： N/A
数量： 30000
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）： 1（无限）
制造商标准提前期： 14 周
系列： HEXFET?
包装： 管件
零件状态： 在售
FET类型： N沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）： 55V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 169A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4V@250μA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 260nC@10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 5480pF@25V
栅源电压 Vgss： ±20V
FET功能： -
功率耗散（最大值）： 330W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 5.3毫欧@101A，10V
工作温度： -55°C~175°C（TJ）
安装类型： 通孔(THT)
供应商器件封装： TO-220AB
封装/外壳： TO-220-3
